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IDT晶振,貼片晶振,8N3D085晶振

產品型號：51325781
晶振頻率：15.476-866.67MHz,975-1300MHz
晶振尺寸：5x7x1.55mm
產品應用： 7050mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選...

　　IDT晶振,貼片晶振,8N3D085晶振，IDT晶振集團開發了能夠與處理器,存儲器等數字系統,其他半導體以及物理世界連接的半導體解決方案.IDT認為作為一名行業領導者努力解決我們環境所面臨的挑戰以及社會需求是我們義不容辭的責任.IDT晶振作為較為出色的國際企業,致力于研發生產銷售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補晶振,石英晶體振蕩器等水晶元件.不斷提高生產技術以及開發更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被全球的通信、計算和消費產業廣泛采用,在全球各地設有研發生產以及運營銷售基地.
IDT晶振集團提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿足幾乎任何應用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產品系列是高性能、低抖動時鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動,并可提供多種頻率、性能級別、輸出類型、穩定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級. 對于尋求在標準振蕩器封裝中提供高性能和無可比擬的靈活性的時鐘源的高級系統設計者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.

　　7050mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

IDT晶振規格	單位	8N3D085晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	15.476-866.67MHz,975-1300MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40 °C - +85 °C	裸存
工作溫度	T_use	-40 °C - +85 °C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±2.5 × 10^-6 (標準), (±2.5× 10^-6 ～ ± 727.5× 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.lida00.cn
頻率溫度特征	f_tem	±2.5 × 10^-6/25°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	10-32 pF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

    差分貼片晶振和鹵化合物
    請勿在鹵素氣體環境下使用產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
    靜電
    過高的靜電可能會損壞產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
    在設計時，IDT晶振,貼片晶振,8N3D085晶振
    機械振動的影響
    當晶體產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶體產品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
    千兆以太網晶振的PCB設計指導
    (1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
    (2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
    (3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
    (4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料焊接SAM6腳差分振蕩器。

質量政策
        保持就健康安全環境問題與臨近攝取進行對話.通過在環境控制方面實施優秀的管理實踐,以保護環境和與強生公司全球運作相關的自然資源.向員工灌輸環境價值觀,在所有的49S假貼片晶振,石英晶體諧振器等產品生產過程中應用最佳環境實用技術,為全球可持續發展做出貢獻.

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