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首頁歐美晶振 Pletronics晶振Pletronics晶振,貼片晶振,HC55D晶振

Pletronics晶振,貼片晶振,HC55D晶振

產(chǎn)品型號：30895862
晶振頻率：13 MHz - 220 MHz
晶振尺寸：
產(chǎn)品應(yīng)用： 小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型...

　　STATEK晶振,貼片晶振,CX3SM晶振,Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,高端晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗(yàn).所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設(shè)計(jì)創(chuàng)新,價(jià)格競爭有優(yōu)勢,訂貨交期時(shí)間短在業(yè)界具有較好的聲譽(yù).
    Pletronics晶振公司發(fā)展史：
    1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振, 有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器等.
    1981年P(guān)letronics晶振公司在韓國建立了一家獨(dú)資工廠
    1997年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:1994,符合歐盟環(huán)保要求.
    2000年賣掉了韓國工廠.轉(zhuǎn)移到合同制造(鑄造廠)
    2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
    2002年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:2000,符合歐盟環(huán)保要求,開發(fā)出高頻基本晶體
    2003年P(guān)letronics晶振公司在韓國和中國合資經(jīng)營
    2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動(dòng),低電源電壓,低功耗等特點(diǎn).
    2005年第一個(gè)合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動(dòng)等特點(diǎn).適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.

　　小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型音叉晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

Pletronics晶振規(guī)格	單位	HC55D晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	13 MHz - 220 MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C- 125°C	裸存
工作溫度	T_use	-55°C - +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10× 10^-6 ～ ± 100× 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.lida00.cn
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^-6/25°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

    OSC石英晶體振蕩器超聲波清洗
    （1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
    （2）使用HCSL輸出音叉振蕩器和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗，因?yàn)榫w可能受到破壞。
    （3）請勿清洗開啟式產(chǎn)品
    （4）對于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
    （5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
    操作
    請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
    使用環(huán)境（溫度和濕度）
    請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
    晶體單元/DIP陶瓷諧振器
    激勵(lì)功率
    在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
    負(fù)極電阻
    除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。Pletronics晶振,貼片晶振,HC55D晶振
    負(fù)載電容
    振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

質(zhì)量政策
    Pletronics有源振蕩器運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.
    Pletronics 5032六腳石英振蕩器環(huán)保基本理念：
    1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
    2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.Pletronics晶振,貼片晶振,HC55D晶振
    3.有效利用普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）壓電石英晶體、進(jìn)口差分貼片晶振資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
    4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.
    5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮壓電石英晶體、有源晶體、晶體振蕩器, 溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等器件的綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
    6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.
    保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的石英晶振,石英晶體諧振器等產(chǎn)品生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).

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